თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. EPC2105

EPC - EPC2105

KEY Part #: K6524831

EPC2105 ფასები (აშშ დოლარი) [19276ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.13806
Ნაწილი ნომერი:
EPC2105
მწარმოებელი:
EPC
Დეტალური აღწერა:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in EPC EPC2105 electronic components. EPC2105 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2105, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2105 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EPC2105
მწარმოებელი : EPC
აღწერა : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
სერიები : eGaN®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET თვისება : GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Die
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5852

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

  • IRF5810

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP.

  • IRF5851

    Infineon Technologies

    MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP.

  • IRF5850

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP.

  • XP0487800L

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6P.

  • PMGD400UN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP.

ცხელი ნაწილები