RFN2LAM6STR ფასები (აშშ დოლარი) [493751ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.08281
- 3,000 pcs$0.08240
- 6,000 pcs$0.07709
- 15,000 pcs$0.07177
- Ნაწილი ნომერი:
- RFN2LAM6STR
- მწარმოებელი:
- Rohm Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vr 1.5A Io Fast Recovery Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFN2LAM6STR electronic components. RFN2LAM6STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN2LAM6STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFN2LAM6STR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
RFN2LAM6STR
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.55V @ 1.5A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOD-128
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PMDTM
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
150°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-HFA08SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
-
VS-50WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
-
GSD2004W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns
-
V20DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 45V,TRENCH SKY RECT.
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置