Nexperia USA Inc. - PSMN8R0-40BS,118

KEY Part #: K6420239

PSMN8R0-40BS,118 ფასები (აშშ დოლარი) [172618ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.21535
  • 800 pcs$0.21427

Ნაწილი ნომერი:
PSMN8R0-40BS,118
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN8R0-40BS,118 electronic components. PSMN8R0-40BS,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R0-40BS,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN8R0-40BS,118 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PSMN8R0-40BS,118
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 77A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1262pF @ 12V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 86W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ