Vishay Semiconductor Diodes Division - VSKTF180-12HK

KEY Part #: K6537505

[13681ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    VSKTF180-12HK
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    SCR DBL 2SCR 1200V 180A MAGNAPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF and ტირისტორები - სკკ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSKTF180-12HK electronic components. VSKTF180-12HK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSKTF180-12HK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VSKTF180-12HK პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : VSKTF180-12HK
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : SCR DBL 2SCR 1200V 180A MAGNAPAK
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    სტრუქტურა : Series Connection - All SCRs
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 2 SCRs
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 1.2kV
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 180A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : 400A
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 3V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 200mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 7130A, 7470A
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 600mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : 3-MAGN-A-PAK™

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VSKT500-14

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.

    • VSKT500-16

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.

    • VSKH500-12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.

    • GBPC3506W-E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt

    • KBPC5002W

      GeneSiC Semiconductor

      BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 200 V - 50 A

    • KBPC5010W

      GeneSiC Semiconductor

      BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 V - 50 A