Microsemi Corporation - MSFC110-12

KEY Part #: K6537467

[4208ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MSFC110-12
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation MSFC110-12 electronic components. MSFC110-12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSFC110-12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MSFC110-12 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MSFC110-12
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    სტრუქტურა : Series Connection - All SCRs
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 1 SCR, 1 Diode
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 1.2kV
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 110A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : -
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 3V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 150mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 2250A @ 50Hz
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 250mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Module

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VSKT500-14

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.

    • VSKT500-16

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.

    • VSKH500-12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.

    • GBPC3506W-E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt

    • KBPC5002W

      GeneSiC Semiconductor

      BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 200 V - 50 A

    • VS-130MT120KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 3P 1.2KV 130A MT-K. Bridge Rectifiers 1200 Volt 130 Amp