Rohm Semiconductor - RZM002P02T2L

KEY Part #: K6392889

RZM002P02T2L ფასები (აშშ დოლარი) [1784759ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02291
  • 8,000 pcs$0.02280

Ნაწილი ნომერი:
RZM002P02T2L
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RZM002P02T2L electronic components. RZM002P02T2L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RZM002P02T2L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RZM002P02T2L პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RZM002P02T2L
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 115pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : VMT3
პაკეტი / საქმე : SOT-723

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ