თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - ხიდის გასწორება
  5. VBO19-12NO7

IXYS - VBO19-12NO7

KEY Part #: K6541292

VBO19-12NO7 ფასები (აშშ დოლარი) [5898ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$7.37310
  • 25 pcs$7.33642
Ნაწილი ნომერი:
VBO19-12NO7
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 21A SLIMPAC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS VBO19-12NO7 electronic components. VBO19-12NO7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VBO19-12NO7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBO19-12NO7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VBO19-12NO7
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 21A SLIMPAC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1.2kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 21A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.12V @ 7A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 300µA @ 1200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Slim-PAC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Slim-PAC

Უახლესი ცნობები

IXYS Integrated Circuits IX2120 1200V High and Low Side Gate Driver
IXYS 1700V XPT™ High Voltage IGBTs
IXYS Integrated Circuits PLB171 OptoMOS® Relay
IXYS CPC2907B 60V Solid State Relay
IXYS BiMOSFET 3000V Surface Mount Power Device Packages
IXYS X4-Class 135V-150V Power MOSFETs
IXYS X2-Class 650V-700V Power MOSFETs with HiPerFET™
IXYS Integrated Circuits CPC1705Y Solid State Relay
IXYS IXIDM1401 IGBT Driver Module
IXYS D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs
IXYS 60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs
IXYS High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TB8S-G

    Comchip Technology

    BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A

  • TB10S-G

    Comchip Technology

    BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS.

  • GBU8D-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated

  • KBP08ML-6747E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

  • KBP08M-9E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

  • KBP08M-6E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM.

ცხელი ნაწილები