Toshiba Semiconductor and Storage - TK4A60DA(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6406712

[1225ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    TK4A60DA(STA4,Q,M)
    მწარმოებელი:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DA(STA4,Q,M) electronic components. TK4A60DA(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK4A60DA(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK4A60DA(STA4,Q,M) პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : TK4A60DA(STA4,Q,M)
    მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
    აღწერა : MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
    სერიები : π-MOSVII
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 1.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 490pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220SIS
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.