IXYS - IXTH76P10T

KEY Part #: K6400025

IXTH76P10T ფასები (აშშ დოლარი) [15330ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.09371
  • 10 pcs$2.76231
  • 100 pcs$2.26493
  • 500 pcs$1.83403
  • 1,000 pcs$1.54677

Ნაწილი ნომერი:
IXTH76P10T
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 100V 76A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTH76P10T electronic components. IXTH76P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH76P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH76P10T პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTH76P10T
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET P-CH 100V 76A TO-247
სერიები : TrenchP™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±15V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 13700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 298W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247 (IXTH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • LP0701N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

  • R6006ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM.