IXYS - IXTT26N60P

KEY Part #: K6395143

IXTT26N60P ფასები (აშშ დოლარი) [14299ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.33078
  • 30 pcs$3.31421

Ნაწილი ნომერი:
IXTT26N60P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTT26N60P electronic components. IXTT26N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT26N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT26N60P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTT26N60P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
სერიები : PolarHV™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4150pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 460W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ