Diodes Incorporated - UF2007-T

KEY Part #: K6445568

[2063ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    UF2007-T
    მწარმოებელი:
    Diodes Incorporated
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Diodes Incorporated UF2007-T electronic components. UF2007-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF2007-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    UF2007-T პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : UF2007-T
    მწარმოებელი : Diodes Incorporated
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 2A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
    Capacitance @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AC, DO-15, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-15
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

    • IDB15E60

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode