Taiwan Semiconductor Corporation - GBU806 D2G

KEY Part #: K6540374

GBU806 D2G ფასები (აშშ დოლარი) [95429ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.40974

Ნაწილი ნომერი:
GBU806 D2G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU. Bridge Rectifiers 8A 800V Standard Bridge Rectif
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation GBU806 D2G electronic components. GBU806 D2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU806 D2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU806 D2G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBU806 D2G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 2A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBU

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3504W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 35 Amp

  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • DBL107G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • DBL106G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • TS25P07G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P. Bridge Rectifiers 25A 1000V Standard Bridge Rectif