Diodes Incorporated - DMG4466SSSL-13

KEY Part #: K6394116

DMG4466SSSL-13 ფასები (აშშ დოლარი) [392747ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09418
  • 2,500 pcs$0.04487

Ნაწილი ნომერი:
DMG4466SSSL-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4466SSSL-13 electronic components. DMG4466SSSL-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4466SSSL-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4466SSSL-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMG4466SSSL-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 478.9pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.42W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ