Ნაწილი ნომერი :
FDD4N60NZ
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
510pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
114W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DPAK
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63