Vishay Siliconix - SI4420BDY-T1-E3

KEY Part #: K6416499

SI4420BDY-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [275873ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13407
  • 2,500 pcs$0.11355

Ნაწილი ნომერი:
SI4420BDY-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4420BDY-T1-E3 electronic components. SI4420BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4420BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4420BDY-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4420BDY-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.4W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.