თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. NXPSC10650XQ

WeEn Semiconductors - NXPSC10650XQ

KEY Part #: K6440391

[3834ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    NXPSC10650XQ
    მწარმოებელი:
    WeEn Semiconductors
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220F. Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in WeEn Semiconductors NXPSC10650XQ electronic components. NXPSC10650XQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NXPSC10650XQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NXPSC10650XQ პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : NXPSC10650XQ
    მწარმოებელი : WeEn Semiconductors
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220F
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 650V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 10A
    სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250µA @ 650V
    Capacitance @ Vr, F : 300pF @ 1V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220F
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 175°C (Max)
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ES2AHM3/5BT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

    • EGP20B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

    • 1N4585GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

    • GP15M-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM

    • 1N5060GP-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated

    • 1N5621GP-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0A 800 Volt 300ns 50 Amp IFSM

    ცხელი ნაწილები