Microsemi Corporation - JANTXV1N4153UR-1

KEY Part #: K6442576

[3087ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTXV1N4153UR-1
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N4153UR-1 electronic components. JANTXV1N4153UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N4153UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N4153UR-1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N4153UR-1
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/337
    ნაწილის სტატუსი : Active
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 150mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 880mV @ 20mA
    სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50nA @ 50V
    Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-213AA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • GP2D010A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

    • GP2D006A065C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

    • GP2D005A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

    • GDP03S060C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.

    • 1PS74SB23,125

      Nexperia USA Inc.

      DIODE SCHOTTKY 25V 1A 6TSOP. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY

    • LXA08B600

      Power Integrations

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr