Infineon Technologies - IPI90N06S4L04AKSA1

KEY Part #: K6406644

[1248ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPI90N06S4L04AKSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPI90N06S4L04AKSA1 electronic components. IPI90N06S4L04AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI90N06S4L04AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI90N06S4L04AKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPI90N06S4L04AKSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 90A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 90µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±16V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 13000pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO262-3
    პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRLR024ZTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TP0610K-T1

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.

    • 2N7002E

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.

    • SI2323DS-T1

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23.