Vishay Semiconductor Diodes Division - BA779-HG3-08

KEY Part #: K6464437

BA779-HG3-08 ფასები (აშშ დოლარი) [1129485ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03456
  • 3,000 pcs$0.03438
  • 6,000 pcs$0.03247
  • 15,000 pcs$0.02961
  • 30,000 pcs$0.02770
  • 75,000 pcs$0.02547

Ნაწილი ნომერი:
BA779-HG3-08
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
RF DIODE PIN 30V SOT23-3. PIN Diodes 30V 50mA AUTO
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BA779-HG3-08 electronic components. BA779-HG3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BA779-HG3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BA779-HG3-08 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BA779-HG3-08
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : RF DIODE PIN 30V SOT23-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : PIN - Single
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - მაქს : 50mA
Capacitance @ Vr, F : 0.5pF @ 0V, 100MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -
ოპერაციული ტემპერატურა : 125°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ