Broadcom Limited - HSMS-8207-TR2G

KEY Part #: K6464949

HSMS-8207-TR2G ფასები (აშშ დოლარი) [9658ცალი საფონდო]

  • 10,000 pcs$0.47036

Ნაწილი ნომერი:
HSMS-8207-TR2G
მწარმოებელი:
Broadcom Limited
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Broadcom Limited HSMS-8207-TR2G electronic components. HSMS-8207-TR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HSMS-8207-TR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HSMS-8207-TR2G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : HSMS-8207-TR2G
მწარმოებელი : Broadcom Limited
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Schottky - 2 Pair Series Connection
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 4V
მიმდინარე - მაქს : -
Capacitance @ Vr, F : 0.26pF @ 0V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 14 Ohm @ 5mA, 1MHz
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 75mW
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : TO-253-4, TO-253AA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-143-4

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ