ESH1PB-M3/85A ფასები (აშშ დოლარი) [563042ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.06569
- 10,000 pcs$0.05713
- Ნაწილი ნომერი:
- ESH1PB-M3/85A
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA. Rectifiers 100volts 1.0amp
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH1PB-M3/85A electronic components. ESH1PB-M3/85A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH1PB-M3/85A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH1PB-M3/85A პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
ESH1PB-M3/85A
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
სერიები :
eSMP®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
900mV @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-220AA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-220AA (SMP)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
CMDSH05-4 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW
-
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置