Vishay Siliconix - IRFD9014PBF

KEY Part #: K6399932

IRFD9014PBF ფასები (აშშ დოლარი) [96413ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.40556

Ნაწილი ნომერი:
IRFD9014PBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD9014PBF electronic components. IRFD9014PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD9014PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD9014PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFD9014PBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 270pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
პაკეტი / საქმე : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.