Ნაწილი ნომერი :
TPCC8103(TE12L,QM)
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
38nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1600pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
700mW (Ta), 27W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN