Ნაწილი ნომერი :
SI7120DN-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
45nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® 1212-8