თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - ხიდის გასწორება
  5. DB103G

GeneSiC Semiconductor - DB103G

KEY Part #: K6540100

DB103G ფასები (აშშ დოლარი) [135537ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.26498
  • 10 pcs$0.22385
  • 25 pcs$0.19569
  • 100 pcs$0.16777
  • 250 pcs$0.14540
  • 500 pcs$0.12303
  • 1,000 pcs$0.09507
  • 2,500 pcs$0.08668
  • 5,000 pcs$0.08109
Ნაწილი ნომერი:
DB103G
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB. Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140R
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor DB103G electronic components. DB103G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB103G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DB103G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DB103G
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DB
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • UC2610N

    Texas Instruments

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A 8DIP. Bridge Rectifiers Dual Schottky Diode Bridge

  • VS-GBPC2504W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 25 Amp

  • GBPC1504W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 15 Amp 400 Volt

  • VS-GBPC3506W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 600 Volt 35 Amp

  • GBPC3501W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 100 Volt

  • GBPC2501W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 100V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 100 Volt

ცხელი ნაწილები