თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. 1N3889

GeneSiC Semiconductor - 1N3889

KEY Part #: K6440543

1N3889 ფასები (აშშ დოლარი) [10045ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.68386
  • 10 pcs$2.39520
  • 25 pcs$2.15573
Ნაწილი ნომერი:
1N3889
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 12A DO4. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3889 electronic components. 1N3889 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3889, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3889 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N3889
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 12A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 200ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-203AA, DO-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-4
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-80APS08-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • V20100S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

  • VS-6TQ045SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 6A D2PAK.

  • RGP15D-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC. Rectifiers 200 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM

  • GP15J-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC. Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM

  • 1N5060GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt

ცხელი ნაწილები