Ნაწილი ნომერი :
SSM3K56ACT,L3F
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
1nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
55pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
500mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
CST3
პაკეტი / საქმე :
SC-101, SOT-883