IDT, Integrated Device Technology Inc - 70T3339S200BC

KEY Part #: K906248

70T3339S200BC ფასები (აშშ დოლარი) [671ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$77.27894
  • 12 pcs$76.89447

Ნაწილი ნომერი:
70T3339S200BC
მწარმოებელი:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA. SRAM 512K X 18 DP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - FIFO მეხსიერება, მეხსიერება - ბატარეები, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , ინტერფეისი - კონტროლერები and ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 70T3339S200BC electronic components. 70T3339S200BC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 70T3339S200BC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

70T3339S200BC პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 70T3339S200BC
მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Dual Port, Synchronous
მეხსიერების ზომა : 9Mb (512K x 18)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 3.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.4V ~ 2.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 256-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 256-CABGA (17x17)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ