Ნაწილი ნომერი :
DMTH4004SCTB-13
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET BVDSS 31V 40V TO263 TR
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
68.6nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4305pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
4.7W (Ta), 136W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263AB
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB