Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM11-1000-E3/96

KEY Part #: K6439241

BYM11-1000-E3/96 ფასები (აშშ დოლარი) [787216ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04699
  • 1,500 pcs$0.04485
  • 3,000 pcs$0.04036
  • 7,500 pcs$0.03812
  • 10,500 pcs$0.03476
  • 37,500 pcs$0.03251

Ნაწილი ნომერი:
BYM11-1000-E3/96
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM11-1000-E3/96 electronic components. BYM11-1000-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM11-1000-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM11-1000-E3/96 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYM11-1000-E3/96
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 500ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DSS6-0045AS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 45V

  • DSS6-015AS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 150V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 150V

  • DSEP6-06AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V

  • DPG10IM300UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 10 Amps 300V

  • BYV29-600PQ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB. Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

  • APT30DQ120KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FG, FRED, 1200V,TO-220, RoHS