Ნაწილი ნომერი :
JDH3D01STE85LF
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
RF DIODE SCHOTTKY 4V SSM
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
4V
Capacitance @ Vr, F :
0.6pF @ 0.2V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
125°C (TJ)
პაკეტი / საქმე :
SC-75, SOT-416
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SSM