Toshiba Semiconductor and Storage - JDP2S12CR(TE85L,Q

KEY Part #: K6464642

[9763ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JDP2S12CR(TE85L,Q
    მწარმოებელი:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Დეტალური აღწერა:
    RF DIODE PIN 180V S-FLAT. PIN Diodes Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S12CR(TE85L,Q electronic components. JDP2S12CR(TE85L,Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JDP2S12CR(TE85L,Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JDP2S12CR(TE85L,Q პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JDP2S12CR(TE85L,Q
    მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
    აღწერა : RF DIODE PIN 180V S-FLAT
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : PIN - Single
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 180V
    მიმდინარე - მაქს : 1A
    Capacitance @ Vr, F : 1.3pF @ 40V, 1MHz
    წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 700 mOhm @ 10mA, 100MHz
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -
    ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)
    პაკეტი / საქმე : SOD-123F
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : S-FLAT (1.6x3.5)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ