Taiwan Semiconductor Corporation - RS1KLHMHG

KEY Part #: K6437553

RS1KLHMHG ფასები (აშშ დოლარი) [2000457ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01849

Ნაწილი ნომერი:
RS1KLHMHG
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1KLHMHG electronic components. RS1KLHMHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1KLHMHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1KLHMHG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RS1KLHMHG
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 800mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 800mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 500ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM