ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16160J-7BLI

KEY Part #: K939390

IS42S16160J-7BLI ფასები (აშშ დოლარი) [24994ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.18146

Ნაწილი ნომერი:
IS42S16160J-7BLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, ინტერფეისი - კონტროლერები, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ and მონაცემთა შეძენა - ციფრული ანალოგური გადამყვანების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BLI electronic components. IS42S16160J-7BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S16160J-7BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S16160J-7BLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS42S16160J-7BLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 143MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TFBGA (8x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.