თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. APTM120A65FT1G

Microsemi Corporation - APTM120A65FT1G

KEY Part #: K6524309

[3875ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    APTM120A65FT1G
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM120A65FT1G electronic components. APTM120A65FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120A65FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120A65FT1G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : APTM120A65FT1G
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET თვისება : Standard
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 300nC @ 10V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7736pF @ 25V
    ძალა - მაქსიმუმი : 390W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : SP1
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP1

    Უახლესი ცნობები

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDY2001PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F.

    • FDY3001NZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F.

    • SI6963BDQ-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP.

    • SI6925ADQ-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP.

    • SI6928DQ-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP.

    • IRF7507PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8.

    ცხელი ნაწილები