Ნაწილი ნომერი :
SISH625DN-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
17.3A (Ta), 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
126nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4427pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 1212-8SH
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® 1212-8SH