Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETX3007THN3

KEY Part #: K6445854

VS-ETX3007THN3 ფასები (აშშ დოლარი) [57728ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.71077
  • 10 pcs$0.63969
  • 25 pcs$0.60357
  • 100 pcs$0.51430
  • 250 pcs$0.48291
  • 500 pcs$0.42254
  • 1,000 pcs$0.33118
  • 2,500 pcs$0.30834
  • 5,000 pcs$0.30454

Ნაწილი ნომერი:
VS-ETX3007THN3
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC. Rectifiers 650V 30A FRED Pt TO-220 2L
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETX3007THN3 electronic components. VS-ETX3007THN3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ETX3007THN3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETX3007THN3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-ETX3007THN3
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
სერიები : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 30A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.5V @ 30A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 30µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C3D08060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 8A

  • VS-8EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

  • VS-6EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

  • VS-8EWF12STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-15EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

  • VS-8EWS08STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3