ON Semiconductor - FCP125N60E

KEY Part #: K6417799

FCP125N60E ფასები (აშშ დოლარი) [42335ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.56535
  • 800 pcs$1.55757

Ნაწილი ნომერი:
FCP125N60E
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FCP125N60E electronic components. FCP125N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP125N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP125N60E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FCP125N60E
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 29A TO220
სერიები : SuperFET® II
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2990pF @ 380V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 278W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ