Ნაწილი ნომერი :
FCP125N60E
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
95nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2990pF @ 380V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
278W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-3
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3