Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB12HTHE3/81

KEY Part #: K6446541

UGB12HTHE3/81 ფასები (აშშ დოლარი) [1730ცალი საფონდო]

  • 800 pcs$0.44521

Ნაწილი ნომერი:
UGB12HTHE3/81
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB12HTHE3/81 electronic components. UGB12HTHE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB12HTHE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB12HTHE3/81 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UGB12HTHE3/81
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 500V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.75V @ 12A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 30µA @ 500V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAT54-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • IDB18E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

  • VS-MBRD340PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.

  • VS-50WQ03FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ03FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ10FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.