Infineon Technologies - IPP16CN10NGXKSA1

KEY Part #: K6398121

IPP16CN10NGXKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [49745ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.71913
  • 10 pcs$0.63635
  • 100 pcs$0.50297

Ნაწილი ნომერი:
IPP16CN10NGXKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 53A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPP16CN10NGXKSA1 electronic components. IPP16CN10NGXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP16CN10NGXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP16CN10NGXKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPP16CN10NGXKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 53A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 61µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3220pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 100W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.

  • TK12A50E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 500V TO220SIS.