Ნაწილი ნომერი :
DMTH6004SPS-13
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
25A (Ta), 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
95.4nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4556pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.1W (Ta), 167W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerDI5060-8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN