Micron Technology Inc. - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C

KEY Part #: K937007

MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C ფასები (აშშ დოლარი) [15638ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.71458
  • 1,440 pcs$3.69610

Ნაწილი ნომერი:
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, PMIC - V / F და F / V გადამყვანი, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები and ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური, ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C electronic components. MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (16M x 32)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.0ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-VFBGA (8x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8