Ნაწილი ნომერი :
IRF6706S2TR1PBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta), 63A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1810pF @ 13V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.8W (Ta), 26W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DIRECTFET S1
პაკეტი / საქმე :
DirectFET™ Isometric S1