Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS16D-HE3-18

KEY Part #: K6439972

BAS16D-HE3-18 ფასები (აშშ დოლარი) [2422835ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01527
  • 10,000 pcs$0.01412

Ნაწილი ნომერი:
BAS16D-HE3-18
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS16D-HE3-18 electronic components. BAS16D-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16D-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16D-HE3-18 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAS16D-HE3-18
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 75V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.25V @ 150mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 6ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 75V
Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-123
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-123
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV21W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM

  • 1N4151W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns