Ნაწილი ნომერი :
IRF6619TR1PBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
30A (Ta), 150A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
57nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
5040pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DIRECTFET™ MX
პაკეტი / საქმე :
DirectFET™ Isometric MX