Ნაწილი ნომერი :
SSM3J15CT(TPL3)
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 Ohm @ 10mA, 4V
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
9.1pF @ 3V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
100mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
CST3
პაკეტი / საქმე :
SC-101, SOT-883