Sanken - FMU-G26S

KEY Part #: K6441622

FMU-G26S ფასები (აშშ დოლარი) [58086ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.70659
  • 10 pcs$0.62590
  • 25 pcs$0.56544
  • 100 pcs$0.49478
  • 250 pcs$0.43417

Ნაწილი ნომერი:
FMU-G26S
მწარმოებელი:
Sanken
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Sanken FMU-G26S electronic components. FMU-G26S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FMU-G26S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FMU-G26S პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FMU-G26S
მწარმოებელი : Sanken
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 10A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 400ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2 Full Pack
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220F-2L
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L