Ნაწილი ნომერი :
SI7112DN-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2610pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® 1212-8