მწარმოებელი :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
19A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
13nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
820pF @ 15V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-DFN-EP (5x6)