თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

Micron Technology Inc. - MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

KEY Part #: K918566

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR ფასები (აშშ დოლარი) [9278ცალი საფონდო]

  • 1,000 pcs$26.33860
Ნაწილი ნომერი:
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ. NAND Flash MLC 512G 64GX8 VBGA DDP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ლაზერული დრაივერი, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები, ლოგიკა - ცვლის რეგისტრატორები, IC ჩიპები, ინტერფეისი - მოდულები and PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR electronic components. MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა : 512Gb (64G x 8)
საათის სიხშირე : 267MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

Უახლესი ცნობები

Micron NAND Flash
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron LPDRAM
Micron NAND-Based MCP
Micron SLC NAND Flash Memory
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 7005S35PFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP. SRAM 8K x 8 Dual-Port RAM

  • IS61LF51218A-7.5TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 512Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF25636A-7.5TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61LPS51218A-200TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 512Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LPS25636A-200TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61NLF25636A-7.5TQI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v

ცხელი ნაწილები